文章编号：610 / 分类：最新资讯 / 更新时间：2024-11-15 02:35:04 / 浏览：次

据可靠消息，三星电子、SK 海力士和美光等公司均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合技术表现出浓厚兴趣，并正在进行技术准备。

无助焊剂键合技术的优势

无助焊剂键合技术可以解决助焊剂粘合工艺固有的缺点。助焊剂可以清理 DRAM Die 表面的氧化层，确保键合过程中的机械和电气连接不受氧化层影响。助焊剂残留会扩大各个 Die 之间的间隙，增加整体堆叠高度。

在未来的先进封装工艺中，助焊剂的缺点将变得更加明显，因此，许多领先公司正在研究和开发无助焊剂工艺和设备。

HBM 内存的层数增加

值得注意的是，HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步压缩层间间隙，以确保整体堆叠高度维持在 775μm 的限制内。

无助焊剂键合技术可以有效减小层间间隙，满足 HBM4 内存对堆叠高度的要求。

公司的进展

目前，美光在与合作伙伴测试无助焊剂工艺方面最为积极，SK 海力士正在考虑导入该技术，而三星电子也对此技术密切关注。

在设备方面，快克智能致力于为精密电子组装和半导体封装检测领域提供智能装备解决方案。该公司应用于半导体封装领域的重点开发项目——用于无助焊剂真空焊接工艺的离线/在线甲酸焊接炉已少量出货。

总结

HBM4 内存采用无助焊剂键合技术是大势所趋。该技术可以解决助焊剂粘合工艺固有的缺点，减小层间间隙，满足 HBM4 内存对堆叠高度的要求。领先的内存制造商和设备供应商正在积极研发和采用这项技术。

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